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白光LED长寿大功率低耗电技术
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白光LED长寿大功率低耗电技术

2021-05-08 11:29:19 来源:我(wo)的(de)煤炭(tan)网 点(dian)击:493

【哔(bi)哥哔(bi)特导(dao)读】有关(guan)LED的使(shi)用寿(shou)命(ming)(ming),例如改用硅质密(mi)封材料与陶(tao)瓷封装材料,能使(shi)LED的使(shi)用寿(shou)命(ming)(ming)提(ti)高(gao)10%,尤其是(shi)白光(guang)LED的发(fa)光(guang)频谱含有波长(zhang)(zhang)低于(yu)450nm短(duan)波长(zhang)(zhang)光(guang)线,传统(tong)环氧(yang)树脂密(mi)封材料极易被短(duan)波长(zhang)(zhang)光(guang)线破(po)坏。

过去LED业者为了获利充分的白光LED光束,曾经开发大尺寸LED芯片试图借此方式达成预期目标,不过实际上白光LED的施加电力持续超过1W以上时光束反而会下降,发光效率则相对降低20~30%,换句话说白光LED的亮度如果要比传统LED大数倍,消费电力特性希望超越荧光灯的话,就必需先克服下列的四大课题:a.抑制温升;b.确保使用寿命;c.改善发光效率;d.发光特性均等化。

led

有关(guan)温升(sheng)问题具(ju)体(ti)方法(fa)(fa)是降(jiang)低封(feng)装的热阻抗;维(wei)持LED的使用寿命具(ju)体(ti)方法(fa)(fa),是改善芯(xin)片(pian)(pian)外形、采(cai)用小型芯(xin)片(pian)(pian);改善LED的发(fa)光效率具(ju)体(ti)方法(fa)(fa)是改善芯(xin)片(pian)(pian)结(jie)构(gou)、采(cai)用小型芯(xin)片(pian)(pian);至于发(fa)光特性(xing)均匀化具(ju)体(ti)方法(fa)(fa)是LED的改善封(feng)装方法(fa)(fa),一般认为2005~2006年白光LED可望开始(shi)采(cai)用上述(shu)对(dui)策。

开(kai)发(fa)经纬增加电力反(fan)而(er)会(hui)造成封装的热(re)阻抗(kang)急(ji)遽降至10K/W以(yi)下(xia),因此国外(wai)业者(zhe)曾经开(kai)发(fa)耐高(gao)温(wen)白(bai)光LED试图(tu)借此改(gai)善上述问题(ti),然(ran)而(er)实际(ji)上大功率LED的发(fa)热(re)量却比小功率LED高(gao)数十(shi)倍以(yi)上,而(er)且温(wen)升还(hai)会(hui)使发(fa)光效率大幅下(xia)跌,即使封装技(ji)术允许高(gao)热(re)量不过LED芯片的接(jie)合(he)温(wen)度却有(you)可能超过容许值(zhi),最后业者(zhe)终于领悟到(dao)解决(jue)封装的散热(re)问题(ti)才(cai)是根(gen)本方(fang)法。

有关LED的使用寿命,例如改用硅质密封材料与陶瓷封装材料,能使LED的使用寿命提高10%,尤其是白光LED的发光频谱含有波长低于450nm短波长光线,传统环氧树脂密封材料极易被短波长光线破坏,高功率白光LED的大光量更加速密封材料的劣化,根据业者测试结果显示连续点灯不到一万小时,高功率白光LED的亮度已经降低一半以上,根本无法满足照明光源长寿命的基本要求。

有关LED的发(fa)光(guang)效(xiao)率(lv),改(gai)善芯(xin)片结构与(yu)封装结构,都可(ke)以(yi)达到(dao)与(yu)低功率(lv)白光(guang)LED相(xiang)同水准(zhun),主(zhu)要原(yuan)因是电(dian)流(liu)密度(du)提高2倍以(yi)上时,不但不容易从大(da)型芯(xin)片取出光(guang)线,结果反(fan)而会造成发(fa)光(guang)效(xiao)率(lv)不如(ru)低功率(lv)白光(guang)LED的窘境,如(ru)果改(gai)善芯(xin)片的电(dian)极构造,理(li)论上就(jiu)可(ke)以(yi)解决上述取光(guang)问题(ti)。

有关发光(guang)(guang)特(te)性(xing)(xing)均(jun)匀性(xing)(xing),一般认为只要(yao)改善白光(guang)(guang)LED的荧(ying)光(guang)(guang)体材料浓度均(jun)匀性(xing)(xing),与荧(ying)光(guang)(guang)体的制作技术应(ying)该可以克服上述(shu)困扰。

如上所述(shu)提高(gao)施加电力的同时,必需设法(fa)减少热阻抗、改(gai)善散(san)热问题,具体内(nei)容分(fen)别(bie)是(shi):

①降低芯片到封装的热阻(zu)抗

②抑制封装至印(yin)刷(shua)电路基板(ban)的热(re)阻抗

③提(ti)高芯片(pian)的散热顺畅(chang)性(xing)

为(wei)了要降(jiang)低热(re)阻(zu)(zu)抗(kang),许多(duo)国外LED厂商将(jiang)LED芯(xin)(xin)片(pian)(pian)设(she)在铜与陶瓷(ci)材料制(zhi)成(cheng)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)散热(re)鳍片(pian)(pian)(heat sink)表面(mian),接(jie)着再用(yong)(yong)焊接(jie)方式将(jiang)印(yin)(yin)(yin)刷电(dian)(dian)路(lu)(lu)(lu)板(ban)上(shang)散热(re)用(yong)(yong)导(dao)(dao)线,连接(jie)到利用(yong)(yong)冷(leng)却风扇强(qiang)制(zhi)空(kong)冷(leng)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)散热(re)鳍片(pian)(pian)上(shang),根(gen)据德国OSRAM Opto Semiconductors Gmb实(shi)验(yan)结果(guo)证实(shi),上(shang)述(shu)结构的(de)(de)(de)(de)(de)(de)LED芯(xin)(xin)片(pian)(pian)到焊接(jie)点的(de)(de)(de)(de)(de)(de)热(re)阻(zu)(zu)抗(kang)可以降(jiang)低9K/W,大(da)约是(shi)传(chuan)统(tong)LED的(de)(de)(de)(de)(de)(de)1/6左(zuo)右(you),封(feng)装(zhuang)后的(de)(de)(de)(de)(de)(de)LED施加2W的(de)(de)(de)(de)(de)(de)电(dian)(dian)力时,LED芯(xin)(xin)片(pian)(pian)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)接(jie)合温(wen)度(du)比焊接(jie)点高18K,即(ji)使(shi)印(yin)(yin)(yin)刷电(dian)(dian)路(lu)(lu)(lu)板(ban)温(wen)度(du)上(shang)升(sheng)到500C,接(jie)合温(wen)度(du)顶多(duo)只(zhi)有700C左(zuo)右(you);相较之(zhi)下以往热(re)阻(zu)(zu)抗(kang)一旦降(jiang)低的(de)(de)(de)(de)(de)(de)话,LED芯(xin)(xin)片(pian)(pian)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)接(jie)合温(wen)度(du)就会受到印(yin)(yin)(yin)刷电(dian)(dian)路(lu)(lu)(lu)板(ban)温(wen)度(du)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)影响(xiang),如此(ci)一来(lai)必需设(she)法(fa)降(jiang)低LED芯(xin)(xin)片(pian)(pian)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)温(wen)度(du),换(huan)句话说(shuo)降(jiang)低LED芯(xin)(xin)片(pian)(pian)到焊接(jie)点的(de)(de)(de)(de)(de)(de)热(re)阻(zu)(zu)抗(kang),可以有效(xiao)减(jian)轻LED芯(xin)(xin)片(pian)(pian)降(jiang)温(wen)作业的(de)(de)(de)(de)(de)(de)负(fu)担。反过来(lai)说(shuo)即(ji)使(shi)白光(guang)LED具备抑制(zhi)热(re)阻(zu)(zu)抗(kang)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)结构,如果(guo)热(re)量无法(fa)从封(feng)装(zhuang)传(chuan)导(dao)(dao)到印(yin)(yin)(yin)刷电(dian)(dian)路(lu)(lu)(lu)板(ban)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)话,LED温(wen)度(du)上(shang)升(sheng)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)结果(guo)发(fa)光(guang)效(xiao)率(lv)会急遽下跌,因(yin)此(ci)松(song)下电(dian)(dian)工开发(fa)印(yin)(yin)(yin)刷电(dian)(dian)路(lu)(lu)(lu)板(ban)与封(feng)装(zhuang)一体化技术(shu),该公司将(jiang)1mm正(zheng)方的(de)(de)(de)(de)(de)(de)蓝光(guang)LED以flip chip方式封(feng)装(zhuang)在陶瓷(ci)基板(ban)上(shang),接(jie)着再将(jiang)陶瓷(ci)基板(ban)粘(zhan)贴(tie)在铜质印(yin)(yin)(yin)刷电(dian)(dian)路(lu)(lu)(lu)板(ban)表面(mian),根(gen)据松(song)下表示包含印(yin)(yin)(yin)刷电(dian)(dian)路(lu)(lu)(lu)板(ban)在内模块整体的(de)(de)(de)(de)(de)(de)热(re)阻(zu)(zu)抗(kang)大(da)约是(shi)15K/W左(zuo)右(you)。

由于(yu)散(san)热鳍(qi)片(pian)与印(yin)刷电(dian)(dian)路板之间的(de)(de)(de)密着性直(zhi)接(jie)(jie)左右热传导效果(guo),因此印(yin)刷电(dian)(dian)路板的(de)(de)(de)设(she)(she)计变得非常复(fu)杂(za),有鉴于(yu)此美国Lumileds与日本CITIZEN等照(zhao)明设(she)(she)备、LED封装(zhuang)厂(chang)商,相继开发高功率LED用简易散(san)热技术(shu)(shu),CITIZEN公司2004年开始样品出(chu)货的(de)(de)(de)白(bai)光LED封装(zhuang),不(bu)需(xu)要特殊接(jie)(jie)合技术(shu)(shu)也(ye)能(neng)够(gou)将厚(hou)约2~3mm散(san)热鳍(qi)片(pian)的(de)(de)(de)热量直(zhi)接(jie)(jie)排放(fang)到外部(bu),根据(ju)该(gai)公司表示(shi)虽然LED芯片(pian)的(de)(de)(de)接(jie)(jie)合点(dian)到散(san)热鳍(qi)片(pian)的(de)(de)(de)30K/W热阻(zu)抗比(bi)OSRAM的(de)(de)(de)9K/W大,而(er)且在一般环境下室(shi)温会使(shi)热阻(zu)抗增加1W左右,不(bu)过即使(shi)是传统印(yin)刷电(dian)(dian)路板无(wu)冷(leng)却风(feng)扇强制空(kong)冷(leng)状态下,该(gai)白(bai)光LED模块也(ye)可(ke)以连(lian)续点(dian)灯(deng)使(shi)用。

Lumileds公司2005年开(kai)始样品(pin)出货的高(gao)功率LED芯片,接合容许温度更(geng)高(gao)达+1850C,比其(qi)它(ta)公司同级产品(pin)高(gao)600C,利(li)用(yong)传统(tong)RF4印刷电(dian)路板封装时,周(zhou)围(wei)环境温度400C范围(wei)内可以(yi)输入相当于1.5W电(dian)力(li)的电(dian)流(liu)(大(da)约是400mA) 。

如以上介绍Lumileds与(yu)CITIZEN公(gong)司采取(qu)提(ti)高(gao)接(jie)合点容(rong)许温度,德国(guo)OSRAM公(gong)司则是将(jiang)LED芯片设在散热鳍(qi)片表(biao)面(mian),达(da)成(cheng)9K/W超低热阻(zu)抗记录,该(gai)记录比OSRAM过(guo)去开(kai)发(fa)同(tong)级品的热阻(zu)抗减(jian)少(shao)40%,值(zhi)得一提(ti)是该(gai)LED模(mo)块封(feng)装时,采用与(yu)传(chuan)统方(fang)法(fa)相同(tong)的flip chip方(fang)式,不过(guo)LED模(mo)块与(yu)热鳍(qi)片接(jie)合时,则选(xuan)择最(zui)接(jie)近LED芯片发(fa)光层作为(wei)接(jie)合面(mian),借此使发(fa)光层的热量(liang)能够以最(zui)短距离传(chuan)导排(pai)放(fang)。

2003年东芝Lighting公司曾经(jing)在400mm正方的(de)铝合金表(biao)面,铺(pu)设发(fa)光(guang)(guang)效率为(wei)60lm/W低热(re)阻(zu)抗白光(guang)(guang)LED,无冷却风扇(shan)等特殊散热(re)组件前(qian)提下,试(shi)作(zuo)光(guang)(guang)束(shu)为(wei)300lm的(de)LED模块,由于(yu)东芝Lighting公司拥有丰(feng)富(fu)的(de)试(shi)作(zuo)经(jing)验,因此该公司表(biao)示由于(yu)仿真分析技术的(de)进步,2006年之后(hou)超过60lm/W的(de)白光(guang)(guang)LED,都可以轻松利(li)用灯(deng)具(ju)、框体提高热(re)传导性(xing),或(huo)是利(li)用冷却风扇(shan)强制空冷方式设计照明(ming)设备(bei)的(de)散热(re),不(bu)需要特殊散热(re)技术的(de)模块结构也能够使用白光(guang)(guang)LED。

有关LED的长寿(shou)化,目(mu)前LED厂商采取的对(dui)策(ce)是(shi)(shi)变更(geng)密封(feng)(feng)(feng)材(cai)(cai)料(liao),同时(shi)将荧光(guang)材(cai)(cai)料(liao)分散在密封(feng)(feng)(feng)材(cai)(cai)料(liao)内,尤(you)其是(shi)(shi)硅质密封(feng)(feng)(feng)材(cai)(cai)料(liao)比传统蓝光(guang)、近紫外光(guang)LED芯片上方环氧(yang)树(shu)脂密封(feng)(feng)(feng)材(cai)(cai)料(liao),可以更(geng)有效抑制材(cai)(cai)质劣化与光(guang)线穿透率降低的速度(du)。

由于环(huan)氧树(shu)脂(zhi)(zhi)吸收波长为400~450nm的(de)(de)光线的(de)(de)百分比(bi)高达45%,硅(gui)质(zhi)(zhi)密封材(cai)(cai)料(liao)则低于1%,辉度减半的(de)(de)时(shi)(shi)间环(huan)氧树(shu)脂(zhi)(zhi)不(bu)到一(yi)万小(xiao)时(shi)(shi),硅(gui)质(zhi)(zhi)密封材(cai)(cai)料(liao)可以延长到四万小(xiao)时(shi)(shi)左右,几乎与照明设(she)备的(de)(de)设(she)计寿命(ming)相(xiang)同,这意味着照明设(she)备使用期间不(bu)需更换白光LED。不(bu)过(guo)硅(gui)质(zhi)(zhi)树(shu)脂(zhi)(zhi)属于高弹性(xing)柔软(ruan)材(cai)(cai)料(liao),加工上(shang)(shang)必需使用不(bu)会刮伤硅(gui)质(zhi)(zhi)树(shu)脂(zhi)(zhi)表面的(de)(de)制作(zuo)技术(shu),此外制程上(shang)(shang)硅(gui)质(zhi)(zhi)树(shu)脂(zhi)(zhi)极易附着粉屑,因此未(wei)来必需开(kai)发可以改善表面特性(xing)的(de)(de)技术(shu)。

虽(sui)然硅(gui)质密封材料可(ke)以(yi)(yi)确(que)保LED四万(wan)小时(shi)(shi)的(de)使用寿(shou)命,然而照明设备业者却(que)出现不同(tong)的(de)看法,主要争论是(shi)(shi)传(chuan)统白(bai)炽灯(deng)(deng)与荧光灯(deng)(deng)的(de)使用寿(shou)命,被定义成“亮度降(jiang)至(zhi)30%以(yi)(yi)下(xia)”,亮度减半时(shi)(shi)间为(wei)四万(wan)小时(shi)(shi)的(de)LED,若换算成亮度降(jiang)至(zhi)30%以(yi)(yi)下(xia)的(de)话,大约(yue)只(zhi)剩二万(wan)小时(shi)(shi)左右。目前有两种延长组件使用寿(shou)命的(de)对策,分别是(shi)(shi):

1、抑制白光LED整体的温升(sheng);

2、停止使用(yong)树脂封装方式(shi)。

一(yi)般认(ren)为如(ru)果彻底(di)执行以(yi)上两项延(yan)寿(shou)对策,可以(yi)达(da)成亮(liang)度30%四(si)万小时的要(yao)求。抑制白(bai)光LED温升可以(yi)采用冷却(que)LED封(feng)装印刷电路(lu)板的方法(fa),主要(yao)原因是封(feng)装树脂高温状态下,加上强光照射会(hui)快速劣化,依照阿(a)雷纽斯法(fa)则温度降(jiang)低100C寿(shou)命会(hui)延(yan)长2倍。

停止使(shi)用树脂(zhi)(zhi)封装可(ke)以(yi)彻底消灭劣化因素,因为LED产生的(de)光线(xian)在封装树脂(zhi)(zhi)内反(fan)射,如果使(shi)用可(ke)以(yi)改(gai)变(bian)芯片侧面光线(xian)行进方向(xiang)的(de)树脂(zhi)(zhi)材质反(fan)射板(ban),由(you)于反(fan)射板(ban)会吸收(shou)光线(xian),所以(yi)光线(xian)的(de)取出(chu)量会急遽锐减,这也是LED厂商一致采用陶(tao)瓷系与金属系封装材料(liao)主要(yao)原因。

有两种方法可以改善白光LED芯片的发光效率,一个是使用面积比小型芯片(1mm2左右)大10倍的大型LED芯片;另外一种方式是利用多个小型高发光效率LED芯片,组合成一个单体模块。虽然大型LED芯片可以获得大光束,不过加大芯片面积会有弊害,例如芯片内发光层的电界不均等、发光部位受到局限、芯片内部产生的光线放射到外部过程会严重衰减等等。针对以上问题LED厂商透过电极结构的改良、采用flip chip封装方式,同时整合芯片表面加工技巧,目前已经达成50lm/W的发光效率。

有关芯片整体(ti)的(de)电(dian)界均(jun)等性,自从2、3年(nian)前出现梳子状与(yu)网格状(mesh)p型电(dian)极之(zhi)后,采用这种方式的(de)厂商不断增(zeng)加,而且电(dian)极也朝最佳化方向发展。

有关flip chip封(feng)装方式,由于(yu)发(fa)(fa)光(guang)(guang)(guang)层(ceng)(ceng)贴近封(feng)装端极易排放热(re)量,加上发(fa)(fa)光(guang)(guang)(guang)层(ceng)(ceng)的光(guang)(guang)(guang)线放射到外部时无电(dian)极遮蔽的困扰,所(suo)以(yi)美国Lumileds与日本丰田合成已经正式采用(yong)flip chip封(feng)装方式,2005年开始(shi)量产大型LED的松下电(dian)器/松下电(dian)工与东(dong)芝也陆续跟进(jin),以(yi)往(wang)采用(yong)wire bonding封(feng)装方式的日亚化学,2004年发(fa)(fa)表的50lm/W客户专用(yong)品LED,也是采用(yong)flip chip封(feng)装方式。

有关芯(xin)(xin)片(pian)表面加工,它可以防止光(guang)线从芯(xin)(xin)片(pian)内(nei)部(bu)朝芯(xin)(xin)片(pian)外(wai)部(bu)放射时(shi)在界面发(fa)生反(fan)射,根据日本某LED厂商表示flip chip封装时(shi),若在光(guang)线取出(chu)部(bu)位蓝宝(bao)石基(ji)板上设(she)置凹凸状结构,芯(xin)(xin)片(pian)外(wai)部(bu)的取出(chu)光(guang)束可以提高30%。

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    我们(men)了解(jie)LED芯片的(de)分(fen)(fen)类。LED芯片按极(ji)性(xing)分(fen)(fen)类可分(fen)(fen)为(wei):N/P,P/N。按发(fa)光(guang)(guang)部位分(fen)(fen)为(wei)表(biao)面发(fa)光(guang)(guang)型(xing)(光(guang)(guang)线(xian)大部分(fen)(fen)从芯片表(biao)面发(fa)出)和五面发(fa)光(guang)(guang)型(xing)(表(biao)面,侧面都有(you)较多的(de)光(guang)(guang)线(xian)射(she)出)。

  • LED灯的光效提升 散热器形成“烟囱式”

    LED灯的光效提升 散热器形成“烟囱式”

    由于真正转为光能辐(fu)射出发光体的(de)能量最多只有百分(fen)之三十(shi)左右(you),大部分(fen)的(de)能量仍(reng)然(ran)还是(shi)以热能形式(shi)残(can)留在LED芯片上。

  • 红黄光芯片今年投产,兆驰持续覆背光、显示、Mini领域

    红黄光芯片今年投产,兆驰持续覆背光、显示、Mini领域

    LED业务(wu)的发展,兆驰方面表示(shi),未来公司会持续优化(hua)产(chan)品结构,逐步向Mini LED、背(bei)光、高(gao)端照明和显(xian)示(shi)等应(ying)用领(ling)域覆盖(gai),同时积(ji)极布局UV、VCSEL、MicroLED等领(ling)域。

  • 利亚德、佛山照明、华体科技相继跨界布局智慧城市

    利亚德、佛山照明、华体科技相继跨界布局智慧城市

    专业灯具(ju)设计制造商汤(tang)石照明表示,随着疫情冲击趋(qu)缓,预期今年较具(ju)成长空间,目前公司(si)在(zai)手订单逾(yu)三个月(yue)。因为(wei)原(yuan)(yuan)材料成本上(shang)涨,公司(si)3月(yue)已对客户发出涨价通知,若是原(yuan)(yuan)物料价格一直增加(jia),公司(si)也(ye)会再有相对应的(de)做法。

  • 渠道、外销、智能照明布局……阳光照明透露了哪些信息?

    渠道、外销、智能照明布局……阳光照明透露了哪些信息?

    在智(zhi)能照明(ming)领域商业照明(ming)方(fang)面公(gong)(gong)司(si)致(zhi)力为(wei)客户提供(gong)从硬(ying)件、软件、云服务(wu)待系统集成的(de)完(wan)整服务(wu)。家居照明(ming)方(fang)面公(gong)(gong)司(si)加强与互联(lian)网(wang)公(gong)(gong)司(si)开展智(zhi)能全场景产(chan)品项目(mu)合作。

  • 聚灿光电已冻结长方集团资产,预计可收回近8000万元货款

    聚灿光电已冻结长方集团资产,预计可收回近8000万元货款

    除(chu)目(mu)前高(gao)光效、背光、高(gao)压(ya)及倒装(zhuang)产(chan)品外,聚灿光电在(zai)重点发力以Mini LED、高(gao)品质照明、植物(wu)照明等为代表的高(gao)端(duan)LED芯片产(chan)业布局。

  • 全力投入智慧灯杆产品,万润科技中报预增超6000万元

    全力投入智慧灯杆产品,万润科技中报预增超6000万元

    在LED照明产(chan)品(pin)(pin)上,在确保轨道(dao)交(jiao)通照明产(chan)品(pin)(pin)多样性(xing)、高阶(jie)性(xing)领先(xian)地位的(de)同时(shi),加(jia)快产(chan)品(pin)(pin)智能(neng)化(hua)研发;同时(shi)全(quan)力(li)投入智慧灯杆产(chan)品(pin)(pin),布(bu)局特种照明产(chan)品(pin)(pin)

  • 五大创新亮点公布丨2021广州国际照明展览会新闻发布会成功召开

    五大创新亮点公布丨2021广州国际照明展览会新闻发布会成功召开

    作为全球(qiu)最大的(de)照明(ming)盛(sheng)会,广(guang)州(zhou)国(guo)际(ji)(ji)照明(ming)展(zhan)(zhan)(zhan)览(lan)会一直(zhi)是照明(ming)行业(ye)发(fa)(fa)展(zhan)(zhan)(zhan)的(de)风向标。第(di)二(er)十六届广(guang)州(zhou)国(guo)际(ji)(ji)照明(ming)展(zhan)(zhan)(zhan)览(lan)会(GILE)将于6月(yue)9日至12日在广(guang)州(zhou)·中(zhong)国(guo)进出(chu)口商(shang)品交易会展(zhan)(zhan)(zhan)馆盛(sheng)大举(ju)行。5月(yue)17日,『2021广(guang)州(zhou)国(guo)际(ji)(ji)照明(ming)展(zhan)(zhan)(zhan)览(lan)会新闻发(fa)(fa)布会』在广(guang)州(zhou)光亚大厦成功举(ju)办,正式吹响展(zhan)(zhan)(zhan)前集结号。

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